セミアディティブプロセス 向けデスミアプロセス

次世代高密度半導体パッケージ基板に対し、絶縁樹脂表面の更なる微細粗化が求められています。しかし、より均一かつ微細な粗化表面を形成することが徐々に困難となってきております。

CIRCUPOSIT™ 7800 デスミアプロセスは工程管理が容易な3ステップで構成されたプロセスで、次世代絶縁樹脂に対しめっき銅の密着性を向上させるために開発されたプロセスです。

    主要特性:
  • セミアディティブプロセス向けに最適化されたプロセス
  • 均一な低粗化表面を形成
  • 優れたビアクリーニング性
  • 既存ラインに導入可能
  • CIRCUPOSIT™ 無電解銅プロセスとの組合せにより優れた密着性および信頼性を実現

表面形状

マーケット&プロダクト – ダウ・エレクトロニック・マテリアルズ

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積層後

デスミア後

GX13材料の結果